Tiegelziehanlagen (Czochralski-Verfahren)
Produktionsanlagen für Silizium und Germanium (nach dem Czochralski-Verfahren)
Für die Produktion von Silizium- und Germanium-Kristallen nach dem Czochralski-Verfahren werden Tiegelziehanlagen eingesetzt. Diese unterscheiden sich im Wesentlichen in der Größe und damit in Kristalldurchmesser und -länge, sind aber durch folgende gemeinsame Merkmale gekennzeichnet:
- Modularer Aufbau der Anlage ermöglicht den Einsatz für Halbleiter-Silizium, Solar-Silizium oder Germanium ohne umfangreiche Maßnahmen zur Anpassung
- Doppelwandige Kessel aus hochlegiertem Edelstahl mit spiegelpolierter Oberfläche zur leichten Reinigung
- Einfaches Kesselhandling für Reinigung/Prozessvorbereitung
- Ein Trennventil zwischen Ofenkessel und Schleusenkammer ermöglicht die Kristallentnahme, während die Schmelze auf Prozesstemperatur bleibt
- Hochpräzise Regelung der Schmelzbadtemperatur
- Kristallvorschub mit Stange oder Seil, Direktantriebe für Vorschübe mit wartungsfreien Motoren und hochgenau geregelter Drehzahl
- Steuerung des gesamten Prozessablaufes mit speicherprogrammierbarer Steuerung (SPS) sowie Software für Prozessdatenerfassung und -auswertung inkl. graphischer Online-Darstellung des Prozessverlaufes und Vergleichsmöglichkeit mit vorherigen Prozessen
- Möglichkeit zum Anbau von Zubehör wie Magnet zur Schmelzbadstabilisierung, Nachchargiereinrichtung oder Schmelzbadhöhenmesseinrichtung
Der Czochralski-Prozess in seinen verschiedenen Prozessphasen
![]() 1. Einschmelzen | ![]() 2. Temperaturstabilisierung | ![]() 3. Ansetzen des Impfkristalls |
![]() 4. Ziehen des Dünnhalses | ![]() 5. Schulter-Wachstum | ![]() 6. Ingot-Wachstum |
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| CGS-Lab
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| SolarCrystallizer 22Unser SolarCrystallizer 22 ist für die Serienproduktion von Siliziumkristallen in der Solarindustrie konzipiert und optimiert. Dieser Anlagentyp vereint innovative Technologien, basierend auf fundiertem Wissen aus der Halbleiterindustrie, mit zielgerichteter und kostenbewusster Umsetzung in der Herstellung für die preisgetriebene Anwendung in der Solarbranche... |
| Typ EKZ 2700Unsere Anlagen verbinden bewährte Elemente aus der Mechanik und Elektrik mit innovativen Elementen zur Prozesssteuerung und -regelung. Sie haben sich in der Serienproduktion von Silizium-Kristallen mit 205 mm (8 inch) Durchmesser bewährt. Die Abmessungen des Ofenkessels erlauben den Einbau einer Heizeinrichtung von 22 inch... |
| Typ EKZ 3500Die EKZ 3500 ist für die Serienproduktion von Siliziumkristallen mit bis zu 300mm (12") Durchmesser konzipiert. Die typischen Chargengewichte liegen zwischen 120kg und 200kg, jeweils abhängig von der eingesetzten Heizer- und Nachchargiereinrichtung zur Erhöhung der Einwaage. Dieser Anlagentyp wurde für die Halbleiterindustrie entworfen und wird heute auch erfolgreich in der Solarindustrie eingesetzt... |
| Typ EKZ 3000Im Vergleich zu den bisherigen Tiegelziehanlagen ist uns mit dem Konzept und der Ausführung der EKZ 3000 ein bedeutender Schritt in der Entwicklung von Kristallzuchtanlagen gelungen. Dieser Anlagentyp wurde unter Berücksichtigung aller bis dahin gesammelten Erkenntnisse und enger Einbeziehung des Know How's unserer Kunden weltweit entwickelt. Diese Anlagen erfüllen ausnahmslos die Voraussetzungen, welche aus den hohen Anforderungen an die Kristallqualität und Serienproduktivität resultieren... |
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- 23.02.2012
CIPVMesse in Peking, China
mehr - 29.03.2012
Veröffentlichung Geschäftsbericht 2011










