SiGe-Epitaxie

Ein zukunftsweisendes Verfahren

Die SiGe-Technologie ist von grundlegender Bedeutung für den Bereich der Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung wie in Satelliten-, Richtfunk- und Mobilfunksystemen, bei der analoge und digitale Signale mit Frequenzen von bis zu 100 GHz und größer und somit in Bruchteilen von Sekunden verarbeitet werden müssen.

Gegenüber der „konventionellen” GaAs-Technologie liegt der große Vorteil der SiGe-Technologie darin, dass hierauf basierende Schaltkreise gemeinsam mit herkömmlichen CMOS-Schaltungen monolitisch auf demselben Si-Substrat aufgebaut werden können. Diese Technologie ist also integrationsfähig in vorhandene Produktionslinien und erfordert damit keine teuren Neuinvestitionen. Darüber hinaus eröffnet die SiGe-Technologie durch sehr viel höhere Integrationsdichten den Weg zu noch stärkerer Miniaturisierung, bis hin zu Ein-Chip-Lösungen kompletter Systeme („System-on-Chip”).

Mit der Low Pressure Chemical Vapor Deposition-Anlage (LPCVD) von CGS steht der Halbleiterindustrie eine Anlage für die Niedertemperatur-Epitaxie zur Verfügung, die alle Anforderungen in Bezug auf Genauigkeit an Schichtdicke, Zusammensetzung der Schicht und Dotierprofilen in jeder Beziehung erfüllt. Die Anlage mit vertikalem Reaktor ermöglicht die Beschichtung von bis zu 100 Wafern von 200mm oder 300mm Durchmesser je Charge. Der modulare Aufbau der Anlage ermöglicht die einfache Anpassung an zukünftige Anforderungen in der Prozesstechnologie wie z.B. durch Anbau neuer Module.

	Typ Delta Die Niederdruck-/Niedertemperatur-Anlage ist für Chemical Vapor Deposition (CVD) von SiGe oder SiGe:C auf Silizium-Wafern von 200 und 300mm Durchmesser konzipiert. Das modular aufgebaute System mit vertikal angeordnetem Reaktor ist für den Kassette-zu-Kassette-Betrieb vorgesehen... mehr

Ihr Ansprechpartner bei weiteren Fragen

PVA TePla AG
Im Westpark 10 - 12
35435 Wettenberg

+49 (0) 641/68690-0
E-Mail: info@pvatepla.com