Anlagen (VGF) für Verbindungshalbleiter und Photovoltaik

Neue Technik für Verbindungshalbleiter-Kristalle

In unserer sich immer rascher entwickelnden Informationsgesellschaft gewinnen Verfahren zur schnellen und breitbandigen Nachrichtenübermittlung ständig an Bedeutung. Für optoelektronische und Hochfrequenzanwendungen setzt man zunehmend versetzungsarme Verbindungshalbleiter (Compound Semiconductor) ein.

Die dafür am häufigsten verwendeten Basismaterialien Gallium Arsenid (GaAs) und Indium Phosphid (InP) unterscheiden sich von Silizium (Si) dadurch, dass sie in der Wechselwirkung mit Licht etwa drei Größenordnungen effektiver sind. Zudem besitzen sie eine größere Elektronenbeweglichkeit, was den Bau von Transistoren mit höheren Grenzfrequenzen ermöglicht. Damit sind diese Verbindungshalbleiter ideal prädestiniert für den Einsatz in der Mobilfunkkommunikation (z.B. UMTS-Netz), für Glasfasernetze, High Brightness Dioden und auch Laser TV.

Das Czochralski-Verfahren, das bei der Kristallzucht mit dem Rohmaterial Silizium von allen derzeit bekannten Prozessen die besten Ergebnisse liefert, ist beim Ausgangsmaterial für Verbindungshalbleiter trotz der derzeit noch hohen Verbreitung weit weniger gut geeignet.

Mit der Entwicklung einer Hochdruck-VGF-Anlage für das Vertical Gradient Freeze Verfahren hat die Division Kristallzucht-Anlagen in Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer Institut, Erlangen, die erste kommerziell verfügbare Anlage für die Züchtung von Compound Semiconductor Kristallen entwickelt und gefertigt. Das modulare VGF-System wird bereits im ersten Halbjahr 2003 für diesen interessanten Zukunftsmarkt verfügbar sein.

	Typ Kronos Bei dem Vertical Gradient Freeze (VGF) Verfahren wird ein Kristall in einem Tiegel durch gerichtete Erstarrung in einem vertikalen Temperaturgradienten gezüchtet. Im Vergleich zum Czochralski-Verfahren bietet das den Vorteil geringerer Spannungen und Defektdichten im Kristall bei zugleich einfacherer Prozessführung. ... mehr

	Multi Crystalizer Vakuum Ofen für die gerichtete Erstarrung (VGF – Prozess) von multi-kristallinen Silzium-Blöcken zur Herstellung von Wafern für die Photovoltaik-Industrie Produktion (MultiCrystallizer VGF732 Si: erzielbare Blockabmessungen  ... mehr

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