baSiC-T - Neue Generation von SiC Kristallzuchtanlagen

Die neue baSiC-T der PVA TePla wurde speziell für moderne Anwendungen und Anforderungen im Bereich Power Electronic entworfen. Mittels PVT-Methode (Physical Vapor Transport) wird ein hochreiner Siliziumkarbid-Kristall durch Sublimation eines Ausgangspudermaterials bei hohen Temperaturen erzeugt. Die baSiC-T besitzt ein modulares Anlagenkonzept, so dass SiC Kristalle mit einem Durchmesser bis zu 6 Zoll produziert werden können.

 baSiC-T - Next Generation SiC crystal growth furnace



Neue Generation von SiC (PVT) Kristallzuchtanlagen

 
  • Designed für Power Electronic Anwendungen

      • Volumenproduktion mit hohem Automationsgrad

      • Zentrale Produktionsüberwachung mittels Fab Management Software

      • Kleine und kompakte Aufstellfläche
         

  • Verfügbar als 4´´ und 6´´ Anlage

  • Induktionsheizung mit erprobten Spulenkonzepten    

      • Niedriger Energieverbrauch (ca. 10KW bei 2.200 °C)

     

  • Mobiles Hotzone Be- und Entladesystem
     

  • Anspruchsvolles Kontrollsystem   

      • Intuitive Bedienung und hoher Automationsgrad

      • Prozessvisualisierung mit umfangreicher Prozessdatenauswertemöglichkeit

      • Offline Rezepterstellung

      • Regelkreise sind parametrierbar

 
  • Sehr gutes Sicherheitskonzept   

      • CE Konformität

      • Sicheres Arbeiten durch Einsatz von mehrstufigen Sicherheitsvorrichtungen

      • Qualitätsprüfungen und ausführliche Qualitätsdokumentation

 
  • Enge Kooperationen von PVA TePla mit Kunden, Instituten und Zulieferfirmen
   
  • Anwendungen
    • Leistungselektronik

      • PFC (Power Factor Converter)

      • Wandler und Wechselrichter für Hybrid-Technologien

        baSiC-T - Furnace for silicon carbide crystal growth - compact placement

      • Wandler für die Solarindustrie

    • Hochfrequenz Elektronik

    • Opto-elektronik










Technische Spezifikationen
 
Reactor tube

Betriebsdruck:

ca. 1 - 900 mbar

Betriebstemperatur:

max. 2.600 °C

Energieversorgung

Energie:

max. 60 kW

Frequenz:

6 - 12 kHz

 
 
platzsparende Aufstellmöglichkeit von zehn Anlagen

 
 


 

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Video

 
 

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PVA TePla im Bereich "Power Electronic"
 

Neben der baSiC-T werden bereits eine Reihe weiterer Anlagen der PVA TePla im Bereich Power Electronic verwendet. Die SiCube ist eine industrieerprobte Anlage zur SiC-Volumenkristallproduktion mittels PVT und HTCVD. Unsere Floatzone- (FZ35) und Czochralski-Anlagen (EKZ Systeme) werden zur Kristallisation von hochreinem Silizium eingesetzt. Das Recyling von Suszeptoren nach GaN Epitaxyprozessen wird in speziellen PVA Vakuumanlagen durchgeführt. Verschiedene innovative Metrologie-Technologien stehen zur Verfügung für eine zerstörungsfreie Qualitätskontrolle.

 

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Geschäftsbereich

Geschäftbereich Semiconductor Systems

 

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Ihr Ansprechpartner bei weiteren Fragen
 

PVA Crystal Growing Systems GmbH
Frau Tanja Guckelsberger
Im Westpark 10 - 12
35435 Wettenberg

+49 (0) 641/68690-126
E-Mail: cgs@pvatepla.com

  

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Downloads
 

Produktdatenblatt

 

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