Photoresist Ashing
In der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen ist das Entfernen der Fotolackschichten nach dem Ätzen der Strukturen oder nach Implantation einer der am häufigsten durchzuführenden Prozessschritte. Je nach Komplexität der Bauelementetechnologie variiert die Anzahl dieser Lithographieebenen typischerweise zwischen 10 und 25. Zur Vorbereitung für den nächsten Schritt muss die verbleibende Fotolackmaske wieder entfernt werden. Dieser so genannte „Dry Strip-Prozess", auch Plasma-Ashing genannt, erfolgt auf umweltschonende Weise mittels Sauerstoffplasma. PVA TePla ist Marktführer auf dem Gebiet der mikrowellenangeregten Batch Plasma Asher. Die Mikrowellen Batch Plasma Technologie ermöglicht hohe Stripraten und hohes Durchsatzvolumen bei sehr attraktivem Kostenniveau. Die sog. Cost-of-Ownership ist die niedrigste im Vergleich zu allen Strip-Technologien und liegt deutlich unter der CoO von Einzelscheibenstrippern. Plasmaanregung mittels Mikrowellenfrequenz (2,45GHz) unterbindet die Schädigung von empfindlichem Gateoxid und erreicht zudem mehr als die doppelte Abtragsrate gegenüber konventioneller Plasmaerzeugung mit Radiofrequenz von 13,56 MHz.
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PVA TePla AG
Plasma Systems
Hans-Riedl-Str.5
85622 Feldkirchen
+49 (0) 89/905 03-0
email: service.plasma@pvatepla.com
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