Waferdünnen / Stressrelief / Passiviren / Post CMP Behandlung
Um mehrere Dies (3D-Stacking Dies) stapeln zu können, ist eine Dicke der Chips von 30μm und dünner gefordert. In der Produktion kann diese Dicke nur allein durch das Schleifen nicht mehr erreicht werden. Die Kupferanschlüsse für die dreidimensionale Verdrahtung müssen kontaktlos behandelt werden, um Metallkontamination zu vermeiden. Für diese Applikation bietet PVA TePla eine fortgeschrittene Technologie für das Waferdünnen, mit Hilfe der sanften Behandlung über das Remote Plasmaätzen. Unser Entspannungsprozess am Wafer kann zusätzlich zum Waferdünnen eingesetzt werden. Bei diesem Prozess erreichen wir eine exzellente uniformity.Das System ASYNTIS 2.2 ist speziell für hohen Durchsatz konzipiert worden. Das Waferdünnen lässt sich in-situ mit dem Entspannungsprozess (Stress Relief) und dem Passivieren kombinieren.
| PS 80 Plus AsyntisChip Side Healing Back-Side Stress Relief (AES Process, active side faces dicing tape) Contact free exposing 3D-TSV (AES Process, active side faces dicing tape) Wafer and Die Thinning (AES Process, ... |
| PS 4008 Asyntis / OEMThe PS 4008 ASYNTIS/OEM is a remote cold plasma system based on microwave plasma generation. The manual machine is ideally suited for many different applications such as stress relief, special surface treatments and wafer thinning. In this plasma system ... |
| Asyntis 2.2Fully Automated Remote Plasma System . |
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Plasma Systems
Hans-Riedl-Str.5
85622 Feldkirchen
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- 13.08.2010
Quartalsbericht II - 06.09.2010
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