Materiallösungen

CVI-Anlagen

Für Kunden wurden bereits zahlreiche Prozesse und Anlagen für fortschrittliche Matrixwerkstoffe entwickelt:

  • BN
  • PYC
  • SiC
  • B4C
  • ZrC
  • HfC
  • SiBC
  • SiBN
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Technician working in a high-tech semiconductor manufacturing facility
Technische Daten
Verfügbarer Kammerdurchmesser (mm)600, 900, 1.200, 1.600, 2.500
Maximaltemperatur (°C)1.600 (Option 2.200)
Heizzonen3 bis 4
Basisdruck (mbar)0.02
ReaktortypBodenbeladung
Drehteller mit einstellbarer Drehzahl (U/min)0.1 bis 3
Gassystem und Flüssigquellen-DosierungN₂, H₂, CH₄, MTCS, SiCl₄
AbgasbehandlungNassabscheider

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