Leistungselektronik

Wegen hoher Schaltfrequenzen und niedrigem Schaltverlust wird Siliziumkarbid in einer Vielzahl verschiedener Anwendungen in der Leistungselektronik benötigt.





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Kristallzuchtanlagen



baSiC-T - Furnace for silicon carbide crystal growth - compact placement
Typ baSiC-T - Neue Generation von SiC Kristallzüchtungsanlagen


Die neue baSiC-T der PVA TePla wurde speziell für moderne Anwendungen und Anforderungen im Bereich Leistungselektronik entworfen. Mittels PVT-Methode (Physical Vapor Transport) wird ein hochreiner Siliziumkarbid-Kristall durch Sublimation eines Ausgangspudermaterial ... df mehr
   



 

SiCube, silicon carbide, siliconcarbide, SiC, SiC Growing, SiC growth, furnace, vacuum furnace
Typ SiCube - Anlage für Siliziumkarbid-Kristallzucht


The HTCVT / HTCVD system has been especially designed for Silicon Carbide (SiC) crystal growth by sublimation / thermal decomposition (pyrolysis) of source gases at  high temperatures ... df mehr