정밀한 공정 제어 및 최고 수준의 순도

공정 중 카메라를 사용하여 결정 직경과 용융 영역의 높이를 모니터링할 수 있습니다. 비접촉 용융 방식(터보분자 펌프로 생성된 고진공 환경 및 공정 분위기로 초순수 아르곤 사용) 덕분에 공정 중 오염을 효과적으로 방지할 수 있습니다.

대형 결정의 성장

대형 결정의 성장에 있어, FZ-35에서는 최대 5 bar의 과압을 가진 아르곤 분위기를 생성할 수 있습니다. 상부 스핀들과 코일 모두 자동으로 위치 조정할 수 있습니다. 또한 아르곤 외에도 공정 챔버에 질소를 주입할 수 있습니다. 선택 사양으로는 결정 도핑용 가스 도핑 시스템, 폐쇄형 DI 냉각수 시스템, 소스 로드 가공용 셰이퍼, 그리고 시드 결정의 배향 조절 시스템이 있습니다.

다음
View into a float‑zone crystal growth chamber showing the molten silicon zone during processing
기술 사양
결정 인발 길이2,700 mm
크리스탈 직경최대 200 mm (8")
최종 진공도2.5 x 10⁻⁵ mbar
최대 과압5.0 bar(g)
재질: 실리콘 
높이11,550 mm
3,800 mm
길이4,050 mm
전체 설치 면적5,000 x 6,000 mm
중량 (총)약 2,500 kg

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