SIRD SiC 200

• 응력 측정
  웨이퍼 레벨에서의 정량적 응력 측정
   
• 광범위한 도핑 범위
  : 저항률이 5.1 mOhm·cm까지 낮은 도핑 수준 측정 가능
   
• 자동화
  레시피 기반 측정 및 분석을 통한 완전 자동화. SECS/GEM 및 OHT 지원.
   
• 다양한 반도체 재료
  : 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 실리콘, 갈륨 비소, 인듐, 인화물, 알루미늄 나이트라이드 등