Halbleiter

Die Qualität elektronischer Bauteile beginnt mit der Reinheit ihrer Rohstoffe. Unsere innovativen Synthese‑ und Reinigungsprozesse für Materialien wie Graphit schaffen optimale Voraussetzungen für die Kristallzucht. Hochreine Graphite sind in der Halbleiterindustrie unverzichtbar – etwa als Suszeptor‑ oder Heizerkomponenten in Silizium‑Zuchtsystemen.

Die Züchtung von Halbleiterkristallen wie Silizium, Germanium, SiC, AlN oder GaN bildet die Basis moderner Elektronik. Unsere Anlagen für alle gängigen Verfahren erzeugen hochreine Einkristalle mit präzise definierten Eigenschaften – unentbehrlich für Mikro‑, Leistungs‑ und Photovoltaik‑Elektronik sowie für Sensortechnik.

Plasmabehandlungen verbessern die Oberflächen von MEMS‑Komponenten und sichern deren Funktionalität und Lebensdauer. Sie kommen gezielt bei der Herstellung mikroelektromechanischer Systeme zum Einsatz, etwa für automobile Sensorik sowie Beschleunigungs‑ und Drucksensoren in Smartphones.

Für zahlreiche Halbleiterbauteile sind optimale Oberflächeneigenschaften entscheidend – sei es zur Verbesserung der Schichthaftung oder zur Erhöhung der Korrosionsbeständigkeit. Unsere Plasmabehandlungen ermöglichen gezielte Modifikationen, beispielsweise für Gehäuse oder Leiterplatten.

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) erzeugt langlebige keramische Schutzschichten, die Bauteile vor Verschleiß, Korrosion und hohen Temperaturen schützen. Diese Beschichtungen sind essenziell für die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit empfindlicher Komponenten in der Halbleiterfertigung.

Die zerstörungsfreie Scanning Acoustic Microscopy ermöglicht die präzise Detektion unsichtbarer Defekte, Delaminationen und Hohlräume in Halbleiterbauteilen. Dies gewährleistet höchste Qualität und Zuverlässigkeit in der Massenproduktion von Mikrochips und Leistungshalbleitern.

Das SIRD‑System misst Spannungsfelder und Defekte in Halbleiterwafern schnell, berührungslos und zerstörungsfrei. Durch den photoelastischen Effekt erkennt es sowohl Spannungsverteilungen als auch lokale Defekte wie Versetzungen und Risse. So liefert es wertvolle Erkenntnisse für Prozessanalyse und Qualitätskontrolle von SiC‑, GaN‑ und Silizium‑Kristallen.

Die VPD‑Technologie ermöglicht den hochempfindlichen Nachweis von Spurenelementen und Kontaminationen auf Halbleiteroberflächen. Damit werden die höchsten Reinheitsanforderungen der Chipproduktion erfüllt, während die frühe Defekterkennung Qualität sichert und Fertigungskosten senkt.

Mit der Hyperspectral‑Vision‑Technologie lassen sich Wafer in weniger als 20 Sekunden vollständig und berührungslos inspizieren. Das Verfahren liefert ortsaufgelöste Daten zu Schichtdicken, Kontaminationsgraden und Oberflächenzuständen und ermöglicht so eine umfassende Qualitätskontrolle bei Halbleiter‑ und Leiterplattenfertigung.