Vertical Gradient Freeze

Das Vertical Gradient Freeze (VGF)-Verfahren ist eine etablierte Kristallzuchtmethode, die speziell für die Herstellung von monokristallinen Halbleitern eingesetzt wird. Im Gegensatz zu anderen Verfahren kommt VGF ohne bewegliche Anlagenteile aus und nutzt ausschließlich präzise gesteuerte Temperaturprofile. Dadurch lassen sich sehr reine und defektarme Kristalle erzeugen – eine entscheidende Grundlage für zahlreiche Hightech-Anwendungen.

 

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Der Prozess

Beim VGF-Verfahren wird das Ausgangsmaterial gemeinsam mit einem Impfkristall in einem Tiegel platziert und zunächst vollständig aufgeschmolzen. Anschließend wird ein vertikaler Temperaturgradient angelegt, sodass die kontrollierte Erstarrung von unten nach oben erfolgt. Die Erstarrungsfront wandert ausgehend vom Impfkristall durch das Material. Die Temperatursteuerung erfolgt entweder durch gezielte Beheizung oder durch Anpassen des Temperaturfeldes – ganz ohne mechanische Bewegung.

Typische Materialien

Zu den wichtigsten Materialien, die mit dem VGF-Verfahren gezüchtet werden, zählen Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Cadmiumtellurid (CdTe) sowie Saphir (Al₂O₃) und Calciumfluorid (CaF₂). Weitere Anwendungsbeispiele sind Cadmiumtellurid (CdTe), aber auch Materialien wie Saphir (Al₂O₃), Calciumfluorid (CaF₂) Diese Materialien sind essenziell für moderne Elektronik insbesondere im Bereich Optoelektronik und Kommunikations- sowie Hochfrequenztechnologie, aber auch für optische Anwendungen.

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Vertical Gradient Freeze-Kristallzuchtsystem in einer Reinraumumgebung.

Industrien im Fokus

Vertical Gradient Freeze Systeme spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung fortschrittlicher Materialien für die Hochfrequenztechnik und optische Anwendungen. Sie ermöglichen die Fertigung von Komponenten wie GaAs- und InP-Mikrowellenverstärkern und Transistoren für die schnelle Signalverarbeitung in Kommunikation und Radar sowie von hochreinen Calciumfluorid-Einkristallen für anspruchsvolle optische Anwendungen im UV- und IR-Bereich.

Halbleiter

GaAs und InP werden als Wafer für integrierte Schaltkreise und Hochfrequenztransistoren eingesetzt — ideal für schnelle, energieeffiziente Computerchips und spezialisierte Elektronikanwendungen. LEDs, Laserdioden und Fotodetektoren auf Basis von GaAs, InP und GaP ermöglichen eine effiziente Lichtemission und -detektion, beispielsweise in der Beleuchtungstechnik, Medizintechnik und Sensorik.

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Medizin

Vertical Gradient Freeze (VGF) ermöglicht das kontrollierte Wachstum von Verbindungshalbleiterkristallen mit geringer Defektdichte und hoher Materialhomogenität. In der medizinischen Bildgebung wird VGF zur Herstellung von GaAs-, InP- und CdTe/CZT‑Kristallen für hochpräzise Detektoren in Röntgen-, CT-, PET- und SPECT‑Systemen eingesetzt, bei denen stabile elektrische Eigenschaften und hohe Empfindlichkeit entscheidend für eine präzise Diagnostik sind.

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Luft- und Raumfahrt

Kristalle, die mittels des Vertical Gradient Freeze (VGF)-Verfahrens hergestellt werden – wie Galliumarsenid, Indiumphosphid, Cadmiumtellurid und Saphir – finden breite Anwendung in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungssektor. Sie werden eingesetzt in Hochleistungssolarzellen für Satelliten, Radarsystemen, Infrarot- und Strahlungsdetektoren sowie in Schutzfenstern und optischen Komponenten für Sensoren und LiDAR. Dank ihrer außergewöhnlichen Kristallqualität, hohen Zuverlässigkeit und langen Lebensdauer unter extremen Bedingungen sowie herausragender elektrischer und optischer Eigenschaften bieten diese Materialien entscheidende Vorteile für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigungsanwendungen der nächsten Generation.

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Das flexible System für die VGF-Kristallzucht

Bediener in Reinraumanzug an einer Vertical Gradient Freeze-Kristallzuchtanlage.

Kronos

Das Kronos-System wurde speziell für das Vertical Gradient Freeze (VGF)-Verfahren entwickelt und ermöglicht so die Herstellung von monokristallinen Verbindungshalbleitern mit besonders hoher Qualität.

Ein herausragendes Merkmal der Kronos-Anlagen ist der hohe Betriebsdruck: Im Bereich von 10 bis 40 bar lassen sich auch Materialien kristallisieren, deren Komponenten einen hohen Dampfdruck aufweisen. Damit eignet sich Kronos ideal für Kristalle wie Galliumarsenid (GaAs), das in der Standardausführung bei bis zu 10 bar verarbeitet wird, sowie Indiumphosphid (InP), das in einer speziellen Version sogar bei Drücken bis zu 40 bar gezüchtet werden kann.

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