Infrarot-Defekt- und Spannungsanalyse

Infrarotbasierte Metrologie spielt eine entscheidende Rolle beim Verständnis der Waferqualität, der strukturellen Integrität und prozessbedingter Effekte in der Halbleiterfertigung. Mit unserem SIRD-Service bietet PVA TePla leistungsstarke Werkzeuge zur Aufdeckung von Defekten und inneren Spannungszuständen, die für konventionelle Inspektionsmethoden unsichtbar bleiben. Diese komplementären Techniken liefern schnelle, präzise und zerstörungsfreie Einblicke in das Materialverhalten und unterstützen die Ausbeuteverbesserung, Prozesskontrolle sowie die zuverlässige Qualifizierung fortschrittlicher Bauteilstrukturen.

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SIRD – Scanning Infrared Depolarization

SIRD bietet hochauflösendes Mapping innerer Spannungsfelder mittels Infrarot-Doppelbrechung. Es ermöglicht eine detaillierte Visualisierung von Spannungsverteilungen in Halbleiterwafern und Bauteilstrukturen und erlaubt die gezielte Analyse spannungsinduzierter Defektmechanismen sowie die Prozessoptimierung.

Messungen können an Wafern bis zu einem Durchmesser von 450 mm durchgeführt werden – mit manueller oder automatisierter Handhabung. SIRD eignet sich ideal zur Überwachung prozessinduzierter Defekte und zur Sicherstellung hochwertiger Waferoberflächen während der Fertigung.

Konsistente und vergleichbare Ergebnisse

Unsere SIRD-Auswertungen werden durch fortschrittliche Analysesoftware unterstützt und gewährleisten eine präzise quantitative und qualitative Bewertung kristallbezogener Defekte. Alle Ergebnisse können an Ihre internen Berichtsstandards angepasst werden und bieten so vollständige Vergleichbarkeit über Wafer und Prozessschritte hinweg. Unsere Spezialisten helfen bei der Interpretation von Defektsignaturen und ihrer Relevanz für Ausbeute, Prozessstabilität und Materialeigenschaften.

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