Highlights im Überblick

SIRD SiC 200

Spannungsmessung
Quantitative Messung von mechanischen Spannungen auf Wafer-Ebene
Großer Dotierungsbereich
Messung hoher Dotierungsgrade mit spezifischen Widerständen bis 5,1 mΩ·cm
Automatisierung
Vollautomatisierte, rezeptbasierte Messung und Auswertung; SECS/GEM- und OHT (Overhead Hoist Transport)-kompatibel
Kompatible Halbleitermaterialien
Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Silizium, Galliumarsenid, Indiumphosphid, Aluminiumnitrid und weitere

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Technische Daten

Messprinzip	Spannungsinduzierte optische Doppelbrechung
Spannungsempfindlichkeit	≥ 0,1 kPa Schubspannung in der Ebene
Laterale Auflösung	≈ 40 μm
Durchsatz	Bis zu 15 Wafer pro Stunde (wph)
Wafer-Handling	Manuelles oder automatisiertes Wafer-Handling

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