材料解决方案

CVD Reactor

我们已为客户开发了多种工艺和设备,用于制备先进的涂层材料,例如:

  • TiC、TiN、Ti(C,N)
  • PyC、SiC、B₄C、TiB₂、BN、B、Al₂O₃、AlN
  • W、Re、ZrC、TaC、HfC
  • DLC、ZnS、ZnSe
  • 掺杂铝化
  • TCO
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chemical vapor deposition furnace in a industrial surrounding
技术参数
可用腔室直径(毫米)600、900、1,200、1,600、2,500
最高温度(°C)1,600(可选 2,200)
加热区3 至 4
基压 (mbar)0.02
反应器类型底部装料
转盘(转速可调,RPM)0.1 至 3
气体系统和液体源计量N₂、H₂、CH₄、MTCS、SiCl₄
气体净化湿式洗涤塔

 

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