气相分解

在硅和化合物半导体技术领域，对材料和工艺纯度的要求日益严格，因此亟需有效的评估方法。

气相分解（VPD）技术是一种成熟的检测系统，用于检测晶圆材料中以及硅晶圆表面的化学污染物。

对于 SiC、GaAs 等化合物半导体，由于这些材料的化学行为不同，无法应用标准的 VPD 工艺。尽管如此，为了避免影响后续工艺步骤和最终器件，检查表面是否存在污染物仍然至关重要。

在VPD技术中，基底材料的表面会在气相中发生分解，反应产物随之被去除。被剥离材料中的杂质通常不会进入气相，而是残留在表面。在接下来的步骤中，将一滴液体引导至表面，吸收残留的杂质。通过这种方式，杂质得以富集，从而提高其在后续分析（例如ICP-MS）中的可检测性。

对于传统的化合物半导体，由于其化学性质与硅不同，通常用于硅的蚀刻步骤在此并不适用。因此，本研究采用液滴扫描表面，且不进行预先蚀刻。然而，由于该表面具有亲水性，因此需借助专用扫描管来维持液滴。随后，按照与传统VPD工艺相同的方式对样品进行分析。

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