物理气相传输法
物理气相输运法(PVT)是一种成熟的工艺,用于制备高纯度、低缺陷的单晶——尤其是碳化硅(SiC)和氮化铝(AlN)等化合物半导体单晶;这类材料若采用直拉法(Czochralski)等其他工艺,往往无法制备,或仅能极其艰难地制备。凭借其能够实现卓越晶体质量的优势,PVT 技术已成为现代半导体产业的关键要素。PVT 工艺的持续发展(包括 Lely 法等变体)旨在优化晶体生长条件,并不断提升材料的各项性能。
相关行业
电力电子
高性能化合物半导体能够制造出高效可靠的器件,适用于高电压、高温的电力电子应用,并推动现代电子设备的微型化和能效提升。其典型应用领域包括电动汽车和可再生能源。
光学
例如,半绝缘碳化硅(SiC)材料被应用于增强现实(AR)眼镜中,通过精确控制光学元件的折射特性,从而实现清晰的视觉效果并提升用户体验。
光电子学
我们的系统是生产高质量基板的高端设备,为LED及其他光电子器件奠定了基础。这为照明和传感器技术领域的创新应用提供了可能。
能源
碳化硅(SiC)半导体器件作为高性能电力电子器件应用于能源领域,特别是在电动汽车逆变器和车载充电器等电动出行应用中,以及快速充电基础设施中。它们还被用于可再生能源系统的电力转换器,以及提高工业驱动系统的效率,包括铁路牵引系统。
与传统硅芯片相比,碳化硅功率半导体因开关损耗降低而具有更高的效率,可实现更紧凑的系统设计,并具备优异的热稳定性,允许在显著更高的温度下运行。这些特性带来了更低的能量损耗、更低的散热要求,以及整体上更强大且轻量化的系统架构。
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