前端用等离子体

我们的等离子体系统是晶圆制造过程中至关重要的一道工序。它们用于去除光刻胶、氧化层以及有机和无机污染物，并激活表面以供后续加工。只有完成这些步骤后，才能进行后续涂层和光刻工艺。

在该过程中，晶圆在真空环境下接触反应性气体混合物，根据具体要求对表面或各层进行处理。

PVA TePla 提供从小型手动系统到全自动交钥匙系统的广泛解决方案。

洁净度、工艺稳定性、对工艺气体的精密参数控制以及丰富的工艺经验是关键因素。

PVA TePla 在该领域拥有最广泛的专业知识，其等离子体系统在市场上已深耕超过 25 年。我们向全球客户提供解决方案，助力其实现晶圆制造的核心技术。

我们许多系统的运行寿命超过 20 年，这充分证明了其卓越的质量。

光刻胶通过等离子体工艺去除，通常采用微波激发。这种配置不仅能实现最佳的去除速率，还能最大限度地减少等离子体对元件的损伤。

批量处理大量晶圆是单片成本最低的方案，且能同时从晶圆两面去除光刻胶。然而，受晶圆装载几何结构的限制，去除均匀性会受到影响。即便如此，在纯氧工艺中，由于该工艺会在底层无机层处自动停止，因此这种影响几乎可以忽略不计。

在氧气工艺中，随着晶圆温度的升高，去除率会随之增加。为限制这一过程，我们开发了一种在恒定温度下进行的工艺。其优势在于，在不超出预设晶圆温度的前提下，实现尽可能高的去除率。温度监测通过红外测温仪进行，并相应地控制微波输出。

在脱膜工艺中，会以非常均匀的方式去除一层极薄的光刻胶，以便为后续的电镀或剥离工艺做好基板表面的准备。在这两种情况下，都需要光刻胶轮廓清晰且基板表面无有机杂质，这样后续的金属化工艺才能获得良好的附着力并形成所需的轮廓。

对于较小的基板，采用批量工艺可实现高效且经济实惠的处理，例如在制造光电子元件或声表面波（SAW）滤波器时。为此，我们将根据基板尺寸及元件要求，对工艺腔室和装载方案进行优化设计，并利用特殊气体开发多步骤的专用工艺。

由于严格的要求（例如在凸点工艺中），较大尺寸的晶圆只能通过单晶圆工艺进行处理。在此情况下，通过相应的腔室设计和工艺配置，可在300毫米硅晶圆上实现5%的均匀度。

PVA TePla 批量工艺所用的等离子体系统均遵循相同的等离子体生成原理：即将大气侧的高频激励直接耦合至真空腔室。气体入口位于腔室的一侧，真空抽气口则位于另一侧。这种腔室结构设计可确保工艺结果特别稳定。

该模块化控制系统采用新一代处理器，以基于Windows的平台作为操作系统，并配备图形用户界面（GUI）。因此，工艺既可手动控制，也可全自动控制，工艺气体则通过微量流量控制器（MFC）进行调节。 在工艺过程中，所有参数均被写入工艺配方并存储在数据库中。与此同时，压力、气体流量、产量等实时数值会显示在屏幕上，一旦偏离目标值，系统将触发相应的报警。

GIGAfab 产品系列汇集了适用于单晶圆操作的等离子体系统。根据基板类型或客户的应用需求，这些系统提供多种配置——从手动装载系统到全自动版本。 根据具体应用，这些系统可配备多种类型的等离子体源：从简单且经济实惠的微波源和大型源，到适用于对温度敏感的硅刻蚀工艺（如超薄晶圆）的远程等离子体自由基源。在此过程中，可通过多种方案对晶圆进行退火处理。

在手动装载系统中，腔室配有拉出式门，晶圆放置在安装于门上的加热或冷却板上。在自动系统中，晶圆通过机器人系统以“行进中对准”的方式装入腔室。