化学气相沉积

化学气相沉积（CVD）工艺能够开发出先进的陶瓷材料，既可制成高密度涂层，也可制成具有卓越物理性能的独立整体结构。该技术已在众多关键应用中得到验证，在重要行业中具有巨大的增长潜力。随着全球经济的快速发展的，CVD工艺显然正准备在全球范围内实现大幅扩张。

CVD工艺融合了多门科学与工程学科。创新是我们工作的核心。

化学气相沉积是一种通过含有适当比例组分的蒸气相化学反应物发生反应，在基底上形成非挥发性固体薄膜的过程，其取决于：

上述每个步骤都需要专业的工程技术知识。

相关行业

半导体

对于半导体行业的石墨供应商而言，碳化硅（SiC）的化学气相沉积（CVD）工艺具有重要意义，主要基于以下几个关键原因：

通常使用的进料气体为 SiCl₄ (STC)、CH₄ 和 H₂，或 SiCH₃Cl₃ (MTS) 和 H₂。反应在约 1,350°C 的温度和几百毫巴的压力下进行。

汽车

我们的化学气相沉积（CVD）技术，包括流化床反应器，能够对电池负极材料（如硅-石墨复合材料）进行精确、均匀的涂覆，从而提升容量、循环寿命和整体性能，同时缓解体积膨胀等问题。

航空航天与国防

化学气相沉积（CVD）工艺可用于制备附着力极强且耐高温的陶瓷涂层。这些涂层能有效保护部件免受磨损、腐蚀和热应力影响，非常适合应用于国防系统，例如热防护罩、传感器或发动机部件。

这些反应器可在真空至常压的条件下运行，工作温度范围广泛，从500℃到2,200℃不等。这些反应器的有效区直径在100毫米至3,000毫米之间。
在大多数情况下，化学气相沉积（CVD）工艺在真空条件下进行，通常在10⁻²毫巴至几百毫巴之间，并使用混合反应气体。

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