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纯度与性能的完美结合

晶体生长技术

技术概述

晶体生长技术

晶体生长技术是制备高纯度半导体晶体的工艺过程，所制备的晶体是先进电子和光电子器件的基础材料。我们运用尖端技术，确保在可控条件下生长出具有卓越结构和材料性能的晶体材料。这对半导体器件的性能、可靠性以及后续加工至关重要。

Interior view of a Czochralski crystal growth chamber

柴可拉斯基法

具备高可靠重复性的高纯硅单晶生长工艺

柴可拉斯基工艺
Front view of a float‑zone crystal growth chamber with visible molten silicon zone

区熔法

用于高性能电子及半导体技术领域的、高电阻率超纯单晶硅的制备

区熔法
Interior view of a SiCma PVT crystal growth system with open chamber doors

物理气相传输法

应用于碳化硅（SiC）或氮化铝（AlN）等化合物半导体单晶的制备

物理气相传输法
Vertical Gradient Freeze crystal growth system in a cleanroom environment

垂直梯度凝固法

应用于低缺陷密度单晶化合物半导体晶体的制备

垂直梯度凝固法
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