红外缺陷与应力分析

SIRD – 扫描式红外去极化

SIRD利用红外双折射技术，可对内部应力场进行高分辨率成像。该技术能详细呈现半导体晶圆及器件结构中的应力分布，从而实现对应力诱导缺陷机制的针对性分析，并优化工艺流程。

该技术可对直径达450毫米的晶圆进行测量，支持手动或自动处理。SIRD是监测工艺诱导缺陷、确保制造全过程晶圆表面高质量的理想选择。

一致且可比的测量结果
我们的 SIRD 评估依托先进的分析软件，确保对晶体相关缺陷进行精确的定量与定性评估。所有结果均可适配您的内部报告标准，实现不同晶圆及工艺步骤间的完全可比性。我们的专家将协助解读缺陷特征及其对良率、工艺稳定性和材料性能的影响。