区熔法

在反应室中，一根经过纯化的多晶硅棒（源棒）被放置在高频感应线圈上方。 为避免电击穿，该工艺通常在压力为0.5至5巴的氩气氛围中进行。通过添加适量的气体（如磷化氢或二硼烷），使其扩散进入熔体，从而实现硅的掺杂。
通过将高频能量耦合到硅棒表面附近，其下端得以非接触式熔化。为确保熔化区域尽可能均匀，硅棒会缓慢旋转。

熔融区与位于线圈下方的薄单晶种晶接触，并通过线圈中心的小孔向上移动。当种晶与源棒液态下端接触后，种晶便缓慢向下移动并同时旋转。 随后，单晶晶体将根据晶种的晶体结构和取向生长。通过从上方缓慢送入并熔化源棒来维持液态区，同时单晶在晶种底部持续生长。

浮区（FZ）技术能够生产出高电阻率的超纯单晶硅，适用于高性能电子和半导体应用。得益于连续的气相掺杂，可在整个晶体长度范围内实现均匀的电阻率分布，从而确保晶体中所需电学性能的均匀分布。

与楚克拉尔斯基法相比，浮区法具有更低的材料和能源成本，因为该工艺无需使用昂贵的石英坩埚，且仅需对晶体的一小部分进行加热。其拉晶速度显著更高。此外，通过反复加工，可以逐步提高硅晶体的纯度。

为了生产标准及定制压力容器、零部件和真空腔室，我们在欧洲设有自己的制造工厂。该工厂完全不使用化石燃料，这与我们的可持续发展目标完全一致。

主要优势一览

• 交货周期短：大幅减少对外部供应商的依赖
• 灵活定制：可立即响应临时设计变更
• 可靠的材料供应：依托长期建立的本地合作伙伴关系，可持续获取高品质材料。
• 最高加工质量（包括标准）：内部进行焊接作业可直接监控接头符合性，这对满足 UNI EN ISO 3834 等标准至关重要。
• 顶级标准：我们的设施自然符合我们对质量、安全和可持续性的严格要求。