用于材料评估的非接触式单晶生长

FZ-14M/FZ-14MG

将生产过程中产生的小型多晶样品在氩气氛围中进行感应熔化,并以晶种为基底结晶成单晶。随后采用光谱分析法对单晶进行分析。通过此过程,可确定并记录所生产多晶硅的质量。 由于采用非接触式熔炼——涡轮分子泵产生的高极限真空以及使用超纯氩气作为工艺气氛——有效防止了工艺过程中的污染。

在FZ-14MG型号中,硅颗粒可放置于线圈下方,并通过上部进料口的晶种,以反向拉制工艺拉制出用于材料分析的单晶。为此,上部主轴可在X和Y两个方向上移动。

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View into a float‑zone crystal growth chamber showing the molten silicon zone during processing
技术参数
晶体拉制长度350 毫米
水晶直径最大 25 毫米
最终真空度2.5 × 10⁻⁵ 毫巴
最大过压2 bar (g)
材料:硅 
高度3,000 毫米
宽度1,020 毫米
深度1,640 毫米
占地面积(总)1,800 毫米 × 4,000 毫米
总重量约 2,500 公斤

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