精确的工艺控制与最高纯度

在工艺过程中，可通过摄像头实时监测晶体直径和熔融区高度。由于采用非接触式熔炼——即利用涡轮分子泵产生的高极限真空，并使用超纯氩气作为工艺气氛——因此能有效防止工艺过程中的污染。

大晶体生长

为了生长大晶体，FZ-35 可在氩气氛围下产生高达 5 bar 的过压。上主轴和线圈均可自动定位。除氩气外，还可向工艺腔内引入氮气。 可选配置包括用于晶体掺杂的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、用于处理源棒的整形器，以及用于调整种晶取向的系统。