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主要特点

SiCma

支持12英寸高品质量产
紧凑型设计
高重复性
高标准品质，实现最高良率
先进自动化
灵活的装卸系统
模块化选项，例如涡轮泵和各种测量设备

因此，SiCma 为在苛刻的生产环境中生长碳化硅和氮化铝提供了理想的平台，并可根据具体要求进行个性化调整。

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Production hall with technicians assembling SiCma PVT crystal growth systems

技术参数

典型晶体直径	最大12英寸
频率	6 - 10 kHz
占地面积 [宽 x 深]	1200 x 2500 毫米
高度（含信号灯）	<3500 毫米
总重量约	1850 公斤
工作压力	1 - 900 毫巴
最高工作温度	2400 °C
材料	3C-SiC；4H-SiC；6H-SiC，AlN；……

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加热器升降

涡轮分子泵

热场旋转

上下高温计

H₂ 旁路

客户定制的软件选项

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