功能一览
SIRD SiC 200
- 应力测量
晶圆级定量应力测量
- 宽掺杂范围
可实现电阻率低至 5.1 mOhm·cm 的掺杂水平
- 自动化
:基于工艺配方(Recipe)的测量与分析,实现全自动化。支持 SECS/GEM 及 OHT 协议。
- 适用于多种半导体材料
:碳化硅、氮化镓、硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等。
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技术参数
| 原理 | 应力诱导的光学双折射 |
| 应力灵敏度 | ≥ 0.1 kPa 面内剪切应力 |
| 横向分辨率 | ≈ 40 μm |
| 吞吐量 | 每小时最多 15 片晶圆 (wph) |
| 晶圆处理 | 手动或自动晶圆处理 |
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