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SIRD SiC 200

  • 应力测量
    晶圆级定量应力测量
     
  • 宽掺杂范围
    可实现电阻率低至 5.1 mOhm·cm 的掺杂水平
     
  • 自动化
    :基于工艺配方(Recipe)的测量与分析,实现全自动化。支持 SECS/GEM 及 OHT 协议。
     
  • 适用于多种半导体材料
    :碳化硅、氮化镓、硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等。
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SIRD SiC 200
技术参数
原理应力诱导的光学双折射
应力灵敏度≥ 0.1 kPa 面内剪切应力
横向分辨率≈ 40 μm
吞吐量每小时最多 15 片晶圆 (wph)
晶圆处理手动或自动晶圆处理


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