材料解決方案

CVD 反應爐

針對先進塗層材料,我們已為客戶開發了眾多製程與設備,例如:

  • TiC、TiN、Ti(C,N)
  • PyC、SiC、B₄C、TiB₂、BN、B、Al₂O₃、AlN
  • W、Re、ZrC、TaC、HfC
  • DLC、ZnS、ZnSe
  • 摻雜鋁化
  • TCO
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chemical vapor deposition furnace in a industrial surrounding
技術資料
可用腔室直徑 (mm)600、900、1,200、1,600、2,500
最高溫度 (°C)1,600(可選配 2,200)
加熱區3 至 4
基底壓力 (mbar)0.02
反應器類型底部裝料
可調速轉盤(RPM)0.1 至 3
氣體系統與液體來源的定量添加N₂、H₂、CH₄、MTCS、SiCl₄
氣體淨化濕式洗滌塔

 

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