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純淨與性能的完美結合

先進長晶技術

技術概覽

先進長晶技術

先進長晶技術是生產高純度半導體晶體的過程，這些晶體是先進電子與光電裝置的基礎。我們運用最先進的技術，確保在可控條件下生長出具有卓越結構與材料特性的晶體。這對於半導體元件的性能、可靠性及後續加工至關重要。

Interior view of a Czochralski crystal growth chamber

柴氏長晶法（Czochralski）

具有可靠重現性的高純度矽晶體生長

柴氏長晶法
Front view of a float‑zone crystal growth chamber with visible molten silicon zone

區域熔煉法（Float Zone）

生產高電阻率的超純矽單晶，應用於高性能電子與半導體技術領域

區域熔煉法
Interior view of a SiCma PVT crystal growth system with open chamber doors

物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport / PVT）

化合物半導體單晶（例如碳化矽（SiC）或氮化鋁（AlN））的生長

物理氣相傳輸法
Vertical Gradient Freeze crystal growth system in a cleanroom environment

垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze / VGF）

製備缺陷密度極低的單晶化合物半導體晶體

垂直梯度凝固法
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