紅外線缺陷與應力分析

SIRD – 掃描式紅外線去極化

SIRD 利用紅外雙折射技術，提供高解析度的內部應力場映射。該技術能詳細呈現半導體晶圓及元件結構中的應力分布，從而實現針對應力誘發缺陷機制的精準分析，並促進製程優化。

本技術可對直徑達 450 mm 的晶圓進行測量，並支援手動或自動處理。SIRD 非常適合用於監測製程誘導的缺陷，並確保整個製造過程中晶圓表面品質優良。

一致且可比的結果
我們的 SIRD 評估由先進的分析軟體支援，確保對晶體相關缺陷進行精確的定量與定性評估。所有結果均可配合您的內部報告標準進行調整，實現跨晶圓與製程步驟的全面可比性。我們的專家將協助解讀缺陷特徵，並闡明其對良率、製程穩定性及材料性能的影響。