橢圓偏光儀技術(Ellipsometry)
橢圓偏光儀技術(Ellipsometry)透過測量反射光的偏振狀態變化,在薄膜特性分析方面提供無與倫比的絕對精度。這項技術能以卓越的深度與精度,提供關於體材料、單層結構及複雜多層堆疊結構性質的極其詳盡資訊。這些洞見對於確保多層薄膜結構在廣泛的半導體應用領域中的品質、性能及長期可靠性至關重要。
相關產業
半導體
橢圓偏振光譜法可提供精確的薄膜與折射率測量數據,對於控制前端製程(FEOL)與後端製程(BEOL)的關鍵步驟至關重要。
光電
橢圓偏振光譜法透過分析吸收層、鍍膜層及導電層,以優化太陽能電池的效率與生產良率。
光學
對介電層與抗反射鍍膜進行精確特性分析,以確保在複雜的多層堆疊結構中能達到精確的光學性能。
功率電子
碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、IGBT 及 MOSFET 等功率元件仰賴精確控制的介電層、鈍化層及界面層,因此精準的薄膜量測技術至關重要。 橢圓偏振光譜法透過測量 SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、閘極氧化層、緩衝層及閘極鍍膜等關鍵材料,提供此一精準度。此能力對於 SiC 和 GaN 等寬禁帶技術尤為重要,這些技術需要高度精確的光學模型與先進的薄膜特性分析,方能確保可靠的高功率性能。
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