前端用的等離子體

我們的等離子體系統是晶圓製造過程中至關重要的一環。這些系統用於去除光阻、氧化層以及有機與無機污染物，同時也能活化表面以利後續製程。唯有完成這些步驟後，才能進行後續的層疊堆疊與光刻製程。

在製程過程中，晶圓會在真空環境下接觸反應性氣體混合物，根據特定需求對表面或層進行處理。

PVA TePla 提供廣泛的解決方案，從小型手動系統到全自動的一鍵式系統皆涵蓋其中。

潔淨度、製程穩定性、製程氣體的精細參數設定，以及豐富的製程經驗，皆為關鍵因素。

PVA TePla 在此領域擁有最廣泛的專業知識，其等離子系統在市場上已深耕逾 25 年。我們在全球提供解決方案，協助客戶實現晶圓製造的關鍵技術。

我們許多系統的運作壽命超過 20 年，這正是其卓越品質的最佳證明。

光阻層是透過等離子體製程去除的，通常由微波進行激發。此配置不僅能提供最佳的去除速率，同時也能將等離子體對元件造成的損傷降至最低。

以批次方式處理大量晶圓，在單片成本方面最具成本效益，且能同時從晶圓兩面去除光阻。然而，受限於晶圓裝載的幾何結構，其去除均勻性會受到影響。即便如此，在純氧製程中，由於該製程會在底層無機層處自動停止，且能完全去除光阻，因此此效應幾乎無關緊要。

在氧氣製程中，隨著晶圓溫度升高，去除率會隨之增加。為控制此現象，我們開發了一種能在恆定溫度下進行的製程。其優勢在於，可在不超過預設晶圓溫度的情況下，達到最高的去除率。溫度監測透過紅外線溫度計進行，並對微波輸出進行相應控制。

在脫膠工序中，需以極其均勻的方式去除極薄的一層光阻，以便為後續的電鍍或剝離製程做好曝光基板表面的準備。無論是哪種情況，都必須具備輪廓分明的光阻輪廓以及不含有機雜質的基板表面，才能確保後續的金屬化製程具有良好的附著力並呈現預期的輪廓。

較小的基板可透過批次製程進行高效且具成本效益的處理，例如在製造光電元件或聲波晶體濾波器時。為此，我們會根據基板尺寸及元件需求，規劃製程腔室與裝載方案，並運用特殊氣體開發多步驟的專用製程。

由於嚴格的製程要求（例如凸點製程），較大的晶圓只能透過單晶圓製程進行處理。在此情況下，透過相應的腔室設計與製程規劃，可在 300 mm 矽晶圓上達到 5% 的均勻度。

PVA TePla 用於批次製程的等離子體系統均遵循相同的等離子體產生原理：將大氣側的高頻激發直接耦合至真空腔室。氣體入口位於腔室的一側，真空抽氣口則位於對側。此種腔室結構可實現特別一致的製程結果。

此模組化控制系統採用最新一代處理器，以 Windows 為基礎的平台作為作業系統，並配備圖形化使用者介面（GUI）。因此，製程既可手動控制，亦可全自動控制，而製程氣體則透過微量氣體控制器（MFC）進行控制。 在製程過程中，所有參數皆會寫入製程配方並儲存於資料庫中。與此同時，壓力、氣體流量、產出等當前數值會顯示於螢幕上；若數值偏離目標值，系統將觸發相應的警報。

GIGAfab 產品系列整合了適用於單晶圓操作的等離子體系統。這些系統可根據基板類型或客戶的應用需求提供多種配置——從手動裝載系統到全自動版本皆有。 根據應用需求，這些系統可配備多種型號的等離子體源：從簡單且經濟實惠的微波源及大型源，到適用於對溫度敏感的矽蝕刻製程（例如薄晶圓製程）的遠端等離子體自由基源。在此過程中，可透過多種方案對晶圓進行退火處理。

在手動裝載系統中，腔室設有可拉出的門，晶圓放置於安裝在門上的加熱或冷卻板上。在自動系統中，則透過機器人系統利用飛行對準技術，將晶圓裝載至腔室內。