氣相分解

在矽與化合物半導體技術領域中,對材料與製程純度的要求日益嚴格,因此亟需有效的評估方法。 

氣相分解(VPD)技術是檢測晶圓材料及矽晶圓表面化學污染物的一套成熟系統。 

對於 SiC、GaAs 等化合物半導體,由於這些材料的化學行為不同,無法應用標準的 VPD 製程。儘管如此,為了避免危及後續製程步驟及最終元件,檢查表面是否含有污染物仍然至關重要。

 

產品 聯絡我們

流程

在 VPD 技術中,基板材料的表面會在氣相中發生分解,而反應產物則會被移除。被蝕除材料中的雜質通常不會進入氣相,而是殘留於表面。在接下來的步驟中,會將一滴液體引導至表面,使其吸收殘留的雜質。藉此將雜質濃縮,以提升其在後續分析(例如 ICP-MS)中的可檢測性。

基於液滴的表面分析

對於傳統的化合物半導體而言,由於其化學行為與矽不同,因此通常用於矽的蝕刻步驟在此並不適用。因此,本研究採用液滴進行表面掃描,且不進行預先蝕刻。然而,由於此情況下的表面具有親水性,故需使用專用的掃描管來維持液滴。隨後,樣本的分析流程與傳統的 VPD 製程相同。

下一页
氣相等離子體蝕刻
無等離子體蝕刻的液滴掃描

相關產業

在積體電路製造過程中,晶圓材料的絕對潔淨度以及所有單一製程的潔淨度,皆是至關重要的首要考量。
我們的產品與製程廣泛應用於電子元件製造的各個領域。從晶圓生產到成品元件,我們為客戶產品的品質做出重大貢獻。

半導體

晶圓製造商:
品質評估在晶圓製造過程中至關重要。及早發現潛在缺陷可降低生產成本。因此,我們的系統在全球晶圓生產過程中廣泛應用。

晶片製造商:
複雜電子元件的生產需要在晶圓上進行多道製程,此時必須符合最高標準的潔淨度。

更多產業資訊

系統 / 概覽

PVA 提供適用於所有超微量分析應用的解決方案,從手動裝載的獨立單一模組,到完全整合的 VPD-ICP-MS 系統皆涵蓋其中。 

這些產品分為兩大類:WSPS(晶圓表面處理系統),用於為外部測量設備提供測量樣品和參考樣品;以及 WSMS(晶圓表面測量系統),該系統利用整合式 ICP-MS 直接分析樣品,並自動輸出測量結果。

模組化概念與可配置選項

我們的模組化概念基於適用於各種應用及所有常見晶圓尺寸的模組。以下為部分範例:

  • PAD-Fume-S 適用於使用氫氟酸/臭氧進行體積材料的蝕刻。
  • PAD-Dry-T 用於清除揮發性殘留物
  • PAD-Scan-B 可用於蝕刻並掃描晶圓邊緣,包含晶圓正反面的小範圍區域。
  • PAD-Scan UB 可掃描晶圓的上斜面部分,並透過光學系統進行監測
  • PAD-Scan-Y 可用於掃描親水表面。
  • PAD-Scan-E 用於減少 VPD 液滴中的多餘 Si 基質。

以夥伴關係為驅動力

PVA TePla 與頂尖研究機構、晶圓製造商及晶片生產商合作,並持續將客戶的需求與回饋融入產品開發過程中。

下一页
晶圓表面處理系統
Wafer surface measurement system with enclosed chamber, robot arm, and control workstation.
Cleanroom setup with monitor, keyboard, and wafer containers beside semiconductor equipment.

系統概覽

WSPS

晶圓表面處理系統

WSPS 系統涵蓋整個流程,無論是透過經濟實惠的獨立單一模組,還是整合至配備 FFU 單元及必要基礎設施的緊湊型系統機箱中的模組。

更多資訊
WSPS

晶圓表面測量系統

WSMS 系統是 WSPS 系列的升級版本,結合了 WSPS 系列優異的檢測限與全整合式 ICP-MS。

更多資訊

對氣相分解感興趣嗎?

聯絡我們