區域熔煉法（Float Zone）

在反應室中，一根經過純化的多晶矽棒（源棒）被放置於高頻感應線圈上方。 為避免電擊穿，此製程通常在壓力介於 0.5 至 5 巴之間的氬氣環境中進行。透過添加適當氣體（例如磷化氫或二硼烷），使其擴散至熔體中，即可對矽進行摻雜。
藉由將高頻能量耦合至矽棒表面附近，可使矽棒下端在無接觸的情況下熔化。為確保熔化區域盡可能均勻，矽棒會緩慢旋轉。

熔融區與位於線圈下方的薄單晶種晶接觸，並透過線圈中央的小孔向上移動。當種晶與源棒液態的下端接觸後，種晶便會緩慢向下移動並同時旋轉。 隨後，單晶體便會依照種晶的晶體結構與取向生長。在種晶底部持續生長單晶的同時，透過從上方緩慢送入並熔化源棒，以維持液態區的穩定。

浮動區（FZ）技術能夠生產出高電阻率的超純矽單晶，適用於高性能電子產品及半導體應用。透過連續氣相摻雜，可在整個晶體長度上實現均勻的電阻率分布，確保晶體中均勻具備所需的電學特性。

與楚克拉爾斯基法相比，浮游區法能降低材料與能源成本，因為無需使用昂貴的石英坩堝，且僅需加熱一小段晶體。其拉晶速度也顯著更高。此外，透過反覆處理，可逐步提高矽晶體的純度。

為了生產標準及客製化的壓力容器、組件和真空腔室，我們在歐洲設有自營的製造廠。該廠完全不使用化石燃料供電，完全符合我們的永續發展目標。

關鍵優勢一覽

• 快速交貨：大幅降低對外部供應商的依賴
• 靈活的客製化服務：可立即執行短通知期的設計變更
• 可靠的材料供應：憑藉長期建立的在地合作夥伴關係，能持續取得高品質材料。
• 最高加工品質（含標準認證）：透過內部執行焊接作業，可直接監控接合處的合規性，這對於符合 UNI EN ISO 3834 等標準至關重要。
• 頂級標準：當然，我們的設施完全符合我們對品質、安全與永續性的嚴格要求。