化學氣相沉積

化學氣相沉積（CVD）製程能夠開發出先進的陶瓷材料，無論是作為高密度塗層，還是具備卓越物理性能的獨立整體結構。這項技術已在廣泛的關鍵應用中得到驗證，並在重要產業中展現出巨大的成長潛力。隨著全球經濟的快速發展，CVD製程顯然正準備在全球範圍內大幅擴展。

CVD製程融合了多項科學與工程學科。創新是我們工作的核心。

化學氣相沉積是一種透過含有適當成分比例的氣相化學反應物發生反應，在基板上形成非揮發性固體薄膜的製程，其取決於：

上述每個步驟皆需具備專業的工程技術。

相關產業

半導體

對半導體產業的石墨供應商而言，碳化矽（SiC）的化學氣相沉積（CVD）技術至關重要，原因如下：

通常使用的進氣為 SiCl₄ (STC)、CH₄ 和 H₂，或 SiCH₃Cl₃ (MTS) 和 H₂。反應在約 1,350°C 及數百毫巴的壓力下進行。

汽車

我們的化學氣相沉積（CVD）技術，包括流化床反應器，能夠對電池負極材料（例如矽-石墨複合材料）進行精確且均勻的塗層處理，藉此提升容量、循環壽命及整體性能，同時緩解體積膨脹等問題。

航太與國防

化學氣相沉積（CVD）製程可用於生產附著力極強且耐高溫的陶瓷塗層。這些塗層能有效保護元件免受磨損、腐蝕及熱應力的影響，非常適合應用於國防系統，例如熱防護罩、感測器或引擎組件。

這些反應器可在真空至大氣壓的範圍內運作，工作溫度範圍廣泛，介於 500 至 2,200°C 之間。這些反應器的有效區直徑介於 100 毫米至 3,000 毫米之間。
在大多數情況下，化學氣相沉積（CVD）應用是在真空條件下進行的，通常在 10⁻² 毫巴至數百毫巴之間，並使用混合反應氣體。

更多資訊

對化學氣相沉積感興趣嗎？