材料解決方案

CVI 系統

我們已為客戶開發了眾多製程與設備,涵蓋先進基體材料:

  • BN
  • PYC
  • SiC
  • B4C
  • ZrC
  • HfC
  • SiBC
  • SiBN
下一页
Technician working in a high-tech semiconductor manufacturing facility
技術資料
可用腔室直徑 (mm)600、900、1,200、1,600、2,500
最高溫度 (°C)1,600(可選 2,200)
加熱區3 至 4
基底壓力 (mbar)0.02
反應器類型底部裝料
可調速轉盤(RPM)0.1 至 3
氣體系統與液體來源的定量添加N₂、H₂、CH₄、MTCS、SiCl₄
氣體淨化濕式洗滌塔

對 CVI 反應器有興趣嗎?

聯絡我們