用於材料評估的非接觸式單晶生長

FZ-14M/FZ-14MG

生產過程中產出的小型多晶樣品,會在氬氣環境下透過感應熔解,並以晶種為基底結晶成單晶。隨後使用光譜分析法對其進行分析。此方法可確定並記錄所生產多晶矽的品質。 由於採用非接觸式熔煉——透過渦輪分子泵產生的高極限真空,並使用超純氬氣作為製程氣體——因此能有效防止製程中的污染。

在 FZ-14MG 型號中,可將矽顆粒置於線圈下方,並利用上部進料口的種晶,透過反向拉晶工藝拉製出用於材料分析的單晶。為此,上部主軸可在 X 軸與 Y 軸方向進行移動。

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View into a float‑zone crystal growth chamber showing the molten silicon zone during processing
技術資料
晶體拉製長度350 毫米
水晶直徑最高 25 毫米
最終真空度2.5 × 10⁻⁵ 毫巴
最大超壓2 bar (g)
材質:矽 
高度3,000 毫米
寬度1,020 毫米
深度1,640 毫米
佔地面積(總計)1,800 毫米 × 4,000 毫米
總重量約 2,500 公斤

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