精準的製程控制與最高純度

在製程過程中，可透過攝影機監控晶體直徑與熔融區的高度。由於採用非接觸式熔融——由渦輪分子泵產生的高最終真空，並使用超純氬氣作為製程氣氛——因此能有效防止製程中的污染。

大晶體生長

為了生長大晶體，FZ-35 可在氬氣氛圍下產生高達 5 bar 的過壓。上主軸與線圈均可自動定位。此外，除氬氣外，亦可將氮氣導入製程腔室。 選配功能包含用於晶體摻雜的氣體摻雜系統、封閉式去離子冷卻水系統、用於處理源棒的成形機，以及用於調整種晶取向的系統。