SIRD SiC 200

• 應力測量
  晶圓級定量應力測量
   
• 寬摻雜範圍
  可實現電阻率低至 5.1 mOhm·cm 的摻雜水平
   
• 自動化
  基於製程參數的完全自動化測量與分析。支援 SECS/GEM 及 OHT 介面。
   
• 適用於多種半導體材料
  碳化矽、氮化鎵、矽、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等。