搜索

为了获得最佳效果，请输入至少2个字符。

Search results 121 until 130 of 166

Kronos

联系我们联系我们

垂直梯度凝固法垂直梯度凝固法垂直梯度凝固（VGF）工艺是一种成熟的晶体生长方法，专为生产单晶半导体而设计。与其他工艺不同，VGF 过程无需移动任何系统组件，仅依靠精确控制的温度曲线进行操作。这一特性使其能够制备出极高纯度且无缺陷的晶体——而这正是众多高科技应用赖以成立的关键基础。产品 …

SiCma

联系我们联系我们

物理气相传输法

物理气相传输法物理气相传输法物理气相输运法（PVT）是一种成熟的工艺，用于制备高纯度、低缺陷的单晶——尤其是碳化硅（SiC）和氮化铝（AlN）等化合物半导体单晶；这类材料若采用直拉法（Czochralski）等其他工艺，往往无法制备，或仅能极其艰难地制备。凭借其能够实现卓越晶体质量的优势，PVT 技术已成为现代半导体产业的关键要素。PVT 工艺的持续发展（包括 Lely…

FZ-35

联系我们联系我们

FZ-14M

联系我们联系我们

区熔法

区熔法区熔法区熔工艺（亦称“区熔法”）主要用于制备超高纯度单晶硅（纯度可高达 11N），其产品主要应用于高性能电子器件、微系统技术及半导体技术领域的组件制造。此外，多晶硅产业、光伏产业以及科研研发领域也均受益于这项技术。相比于采用石英坩埚（石英即二氧化硅）的制备方法，区熔工艺的优势在于其氧元素污染水平显著更低；同时，由于无需使用一次性坩埚，还能节省相应的额外成本。产品…

CGS1218

联系我们联系我们

柴可拉斯基工艺

柴可拉斯基工艺柴可拉斯基工艺 …

晶体生长技术

晶体生长技术晶体生长技术晶体生长技术是制备高纯度半导体晶体的工艺过程，所制备的晶体是先进电子和光电子器件的基础材料。我们运用尖端技术，确保在可控条件下生长出具有卓越结构和材料性能的晶体材料。这对半导体器件的性能、可靠性以及后续加工至关重要。

Search results 121 until 130 of 166