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Kronos

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垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze / VGF）垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze / VGF）垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze / VGF）製程是一種成熟的晶體生長方法，專為生產單晶半導體而設計。與其他製程不同，VGF…

SiCma

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物理氣相傳輸法

物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport / PVT）物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport / PVT） …

FZ-35

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FZ-14M

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區域熔煉法

區域熔煉法（Float Zone）區域熔煉法（Float Zone）區域熔煉法（Float Zone）主要用於生產超高純度單晶矽（純度可達 11N），其產品主要應用於高性能電子元件、微系統技術及半導體技術領域。…

CGS1218

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柴氏長晶法

柴氏長晶法柴氏長晶法柴氏長晶法（Czochralski / Cz），又稱「晶體拉製」或「熔體拉製」，是一種先將高純度矽（Si）熔化，再於嚴格控制的條件下使其固化成單晶狀態的方法。此製程不僅能實現高生長速率，且具備卓越的製程控制能力。…

先進長晶技術

先進長晶技術先進長晶技術先進長晶技術是生產高純度半導體晶體的過程，這些晶體是先進電子與光電裝置的基礎。我們運用最先進的技術，確保在可控條件下生長出具有卓越結構與材料特性的晶體。這對於半導體元件的性能、可靠性及後續加工至關重要。

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